버튼 셀용 EMD: 통과한 COA에 여전히 샘플 시험이 필요한 이유
모든 한계를 클리어한 분석 인증서는 셀이 아닌 분말을 설명합니다. CR2032는 전체 음극인 이산화망간 0.3~0.5g을 IEC 60086-3이 20.0mm 공칭 직경(±0.25mm) 및 3.2mm 높이로 고정하는 케이스에 맞습니다. 활성 물질을 추가할 공간이 없고 압착 부분에 헤드 공간이 거의 없으며 분말이 가져오는 것과 공유할 수 있는 전해질의 양은 20~200마이크로리터에 불과합니다. 따라서 버튼 셀용 EMD를 시험해 보아야 합니다. 일정에 따라 열처리하고, 레시피에 따라 압축하고, 라인에 채우고 압착한 다음, 장치가 끌어오는 부하에 따라 방전합니다. 시험을 건너뛰면 배터리가 아닌 분말을 측정하게 됩니다.
버튼 셀에는 마진을 구매할 수 있는 여유 볼륨이 없습니다.
IEC 60086-3은 원형 리튬, 알카라인, 산화은 및 아연-공기 버튼 셀에 대한 케이스 치수 및 공차를 수정합니다. 크기가 고정되면 용량은 음극을 더 추가하는 것이 아니라 변환하는 음극의 양에 따라 결정됩니다. MnO2 리튬 이산화망간 셀의 음극 질량의 약 40~60%를 차지하며 공개된 CR2032 등급은 약 0.2mA~2.0V 컷오프에서 220~225mAh에 가깝습니다.
최소한으로 배송하기 때문에 이 마진이 중요합니다. 셀은 정의된 테스트에 따라 판매되므로 수율을 결정하는 것은 손으로 만든 몇 개의 샘플의 평균이 아니라 로트에 걸친 분산입니다. 활용도를 작은 비율로 이동시키는 물질적 변화는 폐기물 및 현장 불만이 발생하는 분포의 꼬리를 이동시킵니다.
다른 모든 내부 예산도 빠듯합니다. 코인 셀 라인은 약 ±1 마이크로리터로 20~200 마이크로리터의 전해질을 채우고, 이슬점 -45°C 이하의 건조실에서 조립하며, 전극을 진공 건조하여 잔류 수분을 100ppm에 가깝게 만듭니다. 이러한 통제는 물이 리튬 및 유기 전해질과 반응하여 밀봉된 캔에서 가스를 생성하기 때문에 존재합니다. 그 예산에 가루가 추가되는 것은 무엇이든 봉인에서 지불됩니다.

사양서에서 측정하지 않는 다섯 가지 사항
QingChong은 91% MnO에서 전해 이산화망간을 지정합니다.2 최소, 철분 최대 100ppm, 수분 최대 3%, pH 5 ~ 7.5 및 100 ~ 400메시, ISO 9001 품질 관리 하에 황산망간을 전기분해하여 제조됩니다. 이러한 한계는 배터리 등급 분말에 적합한 화면입니다. 3.2mm 캔 내부의 동작을 예측하는 것은 없습니다.
| 사양 라인 | 제어 대상 | 세포가 아직 보여줘야 할 것 |
|---|---|---|
| MnO2 최소 90% | 그램당 사용 가능한 활성 물질 | 다짐 밀도에서 열처리가 얼마나 오래 지속됩니까? |
| 수분 최대 3% | 배송된 분말의 상태 | 전극 건조 후 남은 물, 보관 중 가스 |
| Fe 최대 200ppm | 하나의 한계에 하나의 금속 | 0.3~0.5g 음극에 Cu, Ni, Co, 알칼리 금속 및 가용성 황산염 포함 |
| pH 5~7.5 | 표면 산성 밴드 | 중화 후 잔여 산 또는 알칼리 및 전해질과의 반응 |
| 입자 크기 100~400메시 | 유통이 아닌 스크리닝 밴드 | D10, D50 및 D90, 탭 및 벌크 밀도, 압축 반응 및 프레스의 다이 충진 |
이는 사양의 차이가 아닙니다. 이것이 바로 사양 시트와 샘플 시험판이 서로 다른 질문에 답하는 이유입니다.
열처리는 두 개의 동일한 COA가 분기되는 곳입니다.
EMD는 배송된 상태 그대로 리튬 셀에 들어가지 않습니다. 일반적으로 250~400°C 사이에서 열처리를 통해 탈수되며 특허 문헌에는 2단계 경로가 설명되어 있습니다. 최대 약 250°C에서 표면 및 비결정질 물을 제거한 다음 250~350°C에서 격자수를 제거합니다. 동일한 출처에서는 비용에 대해 언급합니다. 가열은 감마 MnO를 변환합니다.2 감마/베타 구조를 향하고 베타가 풍부한 상은 리튬을 덜 차지합니다.
340~420°C 사이에서 EMD 등급을 매긴 연구에서는 수분 제거 및 기공 개방이 확산 저항을 낮추는 340~380°C 범위에서 더 나은 방전을 발견했으며, 산소 손실이 활성 MnO를 차단하는 400~420°C에서 더 나쁜 결과를 발견했습니다.2 그리고 반응성 표면적. 창은 실제이며 보편적이지 않습니다. 이는 시작 분말의 수분 함량, 기공 구조 및 상 혼합에 따라 달라지므로 현재 재료에 맞춰 조정된 일정은 새로운 로트에 대한 가설이지 그대로 적용할 수 있는 설정이 아닙니다.
표면 화학도 같은 방식으로 작동합니다. EMD는 사용 전 중화되는 잔여 산도를 전해조에 남깁니다. 수산화나트륨이 중화 염기인 경우 나트륨은 표면 부위를 점유하여 전해질로 방출되고 리튬 양극에 도금되어 용매와 반응하여 가스를 생성하여 저장 수명을 단축할 수 있습니다. 중화 경로나 잔류 나트륨을 명시하는 COA 라인이 없으므로 둘 다 요청한 후 저장된 셀에서 측정해야 합니다.

귀하의 라인과 프로토콜에 따라 시험판을 실행하십시오.
사용 가능한 시험을 통해 샘플 수량에 최대한 가깝게 생산을 재현할 수 있습니다.
- 생산 툴링, 레시피, 전해질 충전 및 압착 매개변수를 사용하여 구축합니다. 현재 자료에 한쪽 팔을 유지하고 동일한 기간에 두 가지를 모두 실행하고 단일 셀이 아닌 분포를 비교하십시오.
- 기준 배수구와 장치 프로필에서 용량을 다시 측정합니다. 연속 0.2mA에서 정격 mAh를 제공하는 셀은 전자열쇠나 무선 모듈이 끌어오는 10~15mA 펄스 아래에서 여전히 처질 수 있습니다.
- 보관 포함: 셀을 높은 온도에서 보관한 다음 용량을 다시 측정하고 압착에 누출이 있는지 검사합니다. 첫날에는 물과 알칼리 잔류물이 여기에 표면으로 나타납니다.
- 시작하기 전에 최소 용량, 허용 가능한 확산, 보관 후 보존, 시험을 종료하는 누출 셀 수 등 임계값을 수정하세요. 임계값이 없는 데이터는 아무것도 결정하지 않습니다.
최소 2개의 생산 로트에서 샘플과 각 롯트에 보관된 참조 자료를 요청하고 대량이 동일한 생산 경로에서 나올 것임을 서면으로 확인합니다. 파일럿 배치의 샘플은 일상적인 출력에서 가져온 샘플보다 적다는 것이 입증되었습니다.
샘플요청시 보내드릴 내용
| 요청과 함께 보내기 | 샘플을 가지고 다시 오라고 요청하세요 |
|---|---|
| 셀 지정, 등급 목표, 컷오프 및 서비스 시간 | 테스트 방법과 TDS 및 SDS를 보여주는 배치 COA |
| 열처리 창, 음극 레시피, 전도성 첨가제 및 바인더 | 중화경로, 잔류나트륨, 열처리 안내 |
| 압축 또는 코팅 대상, 전극 직경, 다공성 | 방법, 탭 및 벌크 밀도, 표면적을 갖춘 D10, D50 및 D90 |
| 전해질 시스템, 충전량 및 건조실 이슬점 | 배송시 수분, 포장 라이너 및 보관 권장 사항 |
| 방전 프로토콜, 펄스 프로필 및 저장 임계값 | 샘플 수량, 샘플과 벌크가 동일한 경로를 공유하는지 여부, MOQ 및 리드 타임 |
FAQ
COA가 이미 실행 중인 등급과 일치하면 평가판을 건너뛸 수 있나요?
아니요. COA는 파견 시 구성을 통제합니다. 버튼 셀 출력은 열처리 반응, 압축, 잔류 수분 및 표면 잔류물에 따라 달라집니다. COA를 입고 검사로 보관하고 셀 결과에 대한 자료를 공개합니다.
리튬 버튼 셀의 EMD는 열처리를 해야 합니까?
예. EMD는 리튬 이산화망간 전지에 사용하기 전에 특허 문헌에 설명된 대로 200~350°C에서 2단계 경로를 통해 일반적으로 250~400°C에서 탈수됩니다. 한 발표된 연구에 따르면 340~380°C 사이에서는 방전이 더 좋고 400~420°C에서는 더 나쁜 방전이 발생하는 것으로 나타났습니다. 자신의 오븐과 셀에 대한 일정을 확인하세요.
얼마나 많은 샘플이 충분합니까?
최소 2개 로트에 걸쳐 생산 레시피에 따라 셀을 구축하기에 충분하며 각 로트에서 참조가 유지됩니다.
저렴한 망간 분말이 버튼 셀의 EMD를 대체할 수 있습니까?
캔 내부의 대체 비용을 확인하세요. QingChong의 EMD는 91%의 MnO를 운반합니다.2 철분은 최대 100ppm으로 최소, 방전 망간 분말은 MnO 60%로 지정됩니다.2 최소 철은 6%, 실리카는 15%입니다. 고정된 부피의 경우 불활성 물질이 활성 물질을 대체하므로 질량을 다시 추가할 수 없습니다. 결정하기 전에 동일한 셀 빌드를 통해 두 가지를 모두 실행하십시오.

CN
fr
es
ar
ru
de
pt
tr
vi
it
ja
ko
hi


